Dynamic Random Access Memory. Bausteine, bei denen die Information in Form von elektrischen Ladungen gespeichert wird. Auf dem Chip-Layer bringt man zu diesem Zweck Strukturen auf, welche die Eigenschaften von Kondensatoren besitzen. Bedingt durch die Kriechströme verlieren diese Kondensatoren innerhalb weniger Millisekunden jedoch wieder ihre Ladung und müssen „aufgefrischt“ werden. Die „Neuladung“ übernehmen Transistoren, die von einer auf der Hauptplatine vorhandenen Refresh-Logik mit einem festen Zeittakt (1 bis 10 Millisekunden) angesteuert werden. Das ständige Aufladen der Kondensatoren ist der Grund für die relativ schlechten Zugriffszeiten von 60 bis 120 Nanosekunden auf dynamische RAMBausteine. Diese Bauteile sind jedoch recht preisgünstig in der Fertigung, und daher setzt man sie vorwiegend für die Bestückung des Hauptspeichers ein.